Un transistor de hauteur 6 mm et de diamètre 4 mm, est surmonté d'un dissipateur thermique de conductivité thermique 200 W/(m.K) (Aluminium). Il y a 12 ailettes d'épaisseur 0.7 mm et de hauteur 10 mm. Le montage introduit une resistance thermique de 10•e^-3 (K.m²)/W.

• Données :

• coefficient de convection : 25 W/(K.m²)
• température ambiante : 20 °C

• Quelle est la puissance maximale admissible pour que la température du transistor n'excède pas 80 et 125°C ?

• Informations

• Le contact thermique sera équivalent à un secteur de 0.2 mm d'épaisseur, dont la conductivité est définie par conductivité thermique = e / k (e épaisseur, et k conductivité thermique). Ici k ( appelé "contact" dans le modèle ) = 0.0002 / 0.0001 = 0.2 W/(K.m²)

• Ne pas oublier de multiplier par quatre le résultat obtenu puisque seulement un quart du modèle est représenté dans QuickField. le contour est choisi sur le pourtour du corps du transistor.
  
  
• L'efficacité de l'ailette ( η = 0.988 ) est donnée à titre d'information. le moyen de calculer ce coefficient sera donné ultérieurement dans la partie "Blog".

• Réponse : 1.45 W (resp. 2.54 W ) si la température du transistor peut atteindre 80 °C (resp. 125 °C). Le modèle "Student" donne 1.43 W pour 80 °C.

• Téléchargement :

• Fichiers Pro (env. 650 noeuds)   (17 Ko)
• Fichiers Student (env. 100 noeuds)   (4 Ko)